Время восстановления обратного сопротивления базы диода — это переходный процесс, возникающий при переключении диода из проводящего состояния (прямого) в закрытое. Процесс обратного восстановления (ОВ) в большей степени характерен диодам на p-n переходе, в отличие от Шоттки. Процесс ОВ сопротивления возникает вследствие накопления неосновных носителей в обеих областях диода — базе и эмиттере при прямом протекании тока через диод (плюс приложен к аноду (p-область), минус к катоду (n-область)). В базе (катоде, n-область) накапливаются дырки, в эмиттере (аноде, p-область) накапливаются электроны. После смены полярности напряжения на обратное (плюс на катоде, минус на аноде), накопленные неосновные носители в областях диода начинают двигаться навстречу, создавая короткий импульс (выброс) обратного тока. Короткий импульс тока образуется вследствие малого кол-ва накопленных неосновных носителей (зависит от паразитной ёмкости перехода и силы протекавшего тока).

Процесс ОВ у диодов Шоттки. Теоретически у диода Шоттки (ДШ, переход металл-полупроводник, омический контакт — выпрямляющий контакт) время ОВ равно нулю, так как неосновные носители, накапливаемые в базе (катоде) диода не могут существовать, поскольку в металле (базе ДШ) существуют только основные носители — электроны.

Литература

1. Н. А. Аваев, Г. Г. Шишкин Электронные приборы: Учебник для вузов. Москва, издательство МАИ, 1996 г.

Ссылки

Презентация о времени обратного восстановления диодов (англ).