18-10-2023
Составной транзистор (транзистор Дарлингтона) — объединение двух или более биполярных транзисторов с целью увеличения коэффициента усиления по току.
Составной транзистор является каскадным соединением нескольких транзисторов, включенных по схеме с общим коллектором. Нагрузкой предыдущего каскада является переход база-эмиттер транзистора следующего каскада, то есть транзисторы соединяются коллекторами, а эмиттер входного транзистора соединяется с базой выходного. Кроме того, может использоваться нагрузка в виде резистора. Такое соединение рассматривают как один транзистор, коэффициент усиления по току которого при работе транзисторов в активном режиме приблизительно равен произведению коэффициентов усиления первого и второго транзисторов:
Составной транзистор имеет три вывода (база, эмиттер и коллектор), которые эквивалентны выводам обычного одиночного транзистора. Коэффициент усиления по току типичного составного транзистора, иногда называемый "супербетта", у мощных транзисторов равен ~1000 и у маломощных транзисторов ~50000. Это означает, что небольшого тока базы достаточно для того, чтобы составной транзистор открылся.
Достоинства составного транзистора:
Недостатки составного транзистора:
Применение нагрузочного резистора R1 позволяет улучшить некоторые характеристики составного транзистора. Величина резистора выбирается с таким расчётом, чтобы ток коллектор-эмиттер транзистора VT1 в закрытом состоянии создавал на резисторе падение напряжения, недостаточное для открытия транзистора VT2. Таким образом, ток утечки транзистора VT1 не усиливается транзистором VT2, тем самым уменьшается общий ток коллектор-эмиттер составного транзистора в закрытом состоянии.
Кроме того, применение резистора R1 способствует увеличению быстродействия составного транзистора за счёт форсирования закрытия транзистора VT2.
В отличие от биполярных, полевые транзисторы не используются в составном включении. Объединять полевые транзисторы нет необходимости, так как они и без того обладают чрезвычайно малым входным током.
Однако существуют схемы (например, IGBT), где применяется как логика работы полевого транзистора, так и биполярного. В некотором смысле, их также можно считать составными транзисторами.
Это заготовка статьи об электронике. Вы можете помочь проекту, исправив и дополнив её. |
Транзисторные усилители | ||
---|---|---|
Биполярные транзисторы | с общим эмиттером • с общим коллектором • с общей базой | |
Полевые транзисторы | с общим стоком • с общим истоком • с общим затвором | |
Транзисторные каскады | Пара Дарлингтона («составной» транзистор) • Пара Шиклаи • Каскадный усилитель • Дифференциальный усилитель • Каскодный усилитель |
Составной транзистор.