02-08-2023
Оксидирование кремния (Si) — процесс создания оксидной плёнки (диоксида кремния SiO2) на поверхности кремниевой подложки.
Задача оксидирования — вырастить высококачественный слой оксида на подложке из кремния. Оксид кремния получается в процессе химической реакции между кислородом и кремнием. Кислород содержится в окислительной среде, с которой контактирует поверхность подложки, нагретой в печи. В качестве окислительной среды обычно используется сухой или влажный (с паром) кислород.
Содержание |
Термическое оксидирование кремния обычно производян пр температурах между 800 и 1200°C. В результате получается слой высокотемпературного оксида(High Temperature Oxide layer). Это может производиться как в парах воды, так и когда в роли окислителя выступает молекулярный кислород, что, соответственно, называется мокрым(wet) или сухим(dry)окислением. при этом происходит одна из следующих реакций:
Окислительная среда может таже содержать несколько процентов соляной кислоты. Хлор удаляет ионы металла, что могут присутствовать в оксиде.
Слои диоксида кремния используются в электронике:
Это заготовка статьи об электронике. Вы можете помочь проекту, исправив и дополнив её. |
Термическое оксидирование.